DDR5內(nèi)存去年隨著Intel 12代酷睿的發(fā)布而正式進入商用階段，今年AMD的銳龍7000也會加入支持，未來幾年里這會是新的內(nèi)存主流，不過它的繼任者DDR6內(nèi)存也在路上了，頻率可能會達到17GHz，預計2024年完成設計。
日前三星高管在一次會議上確認了他們研發(fā)的DDR6內(nèi)存會用上MSAP封裝工藝，有助于提高PCB的高頻高速性能，不過SK海力士已經(jīng)在DDR5內(nèi)存上就使用過MSAP技術了。
這不是三星第一次提到DDR6內(nèi)存，實際上去年底三星就公布了DDR6內(nèi)存的路線圖，相比DDR5內(nèi)存來說會進一步提升內(nèi)存頻率、容量。
具體來說，三星之前提到DDR6會比DDR5頻率再次翻倍，達到了12.8GHz(或者12.8Gbps),超頻頻率則可以達到17GHz，是DDR5的2倍、DDR4的4倍。
不過這顯然不是極限，實際上現(xiàn)在的DDR5內(nèi)存頻率已經(jīng)沖到了12.6GHz，DDR6未來的頻率上限超過20GHz也不是沒可能。
除了頻率之外，DDR6的內(nèi)存容量也有大漲，每個內(nèi)存條內(nèi)的通道數(shù)翻倍到4通道，bank容量從16提升到64，這些都會數(shù)倍提升DDR6的內(nèi)存容量，考慮到現(xiàn)在都可以制造出單條256GB的內(nèi)存，未來單條1TB的DDR6內(nèi)存不是夢。(作者：憲瑞)
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