2021年全球首發176層堆棧的3D閃存之后，美光今天有全球首發了232層堆棧的TLC閃存，這是全然首個超過200層的閃存，也是業界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，寫入速度提升100%。
美光技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer表示232層閃存是存儲芯片創新的分水嶺，首次證明了3D閃存有擴展到200層以上的能力。
指標方面，美光表示其232層TLC閃存引入了業內最快的IO速度，可達2.4GB/s，比上代的176層閃存高出50%，同時寫入帶寬提升100%，讀取帶寬提升75%。
美光的232層閃存還是全球首個六平面TLC閃存，在TLC閃存中平面最多，而且每個平面都可以獨立讀取，高IO速度、低延遲及六平面結構相結合使得232層閃存可以提供一流的數據傳輸能力。
此外，美光的232層閃存還是首款支持NV-LPDDR4，后者是一種低壓接口，相比之前的IO接口，每比特的能效提升30%以上。
其他方面，美光的232層TLC閃存還是有史以來密度最高的，達到了14.6Gb/mm2，比當前的TLC閃存高出35-100%，而且232層閃存使用了11.5x13.5mm封裝，尺寸比前代產品小了28%，是市面上最小面積的高密度閃存，可以減少對電路板空間的占用。
目前美光的232層閃存已經在新加披工廠量產，最初會由美光旗下的英睿達品牌推出消費級SSD，后續再公告其他產品。(作者：憲瑞)
關鍵詞： 美光全球首發232層TLC閃存 寫入速度 數據傳輸能力 能效提升
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